РАЗРАБОТКА ЭЛЕКТРОНИКИ НА ЗАКАЗ*АСУ ТП*АВТОМАТИЗИРОВАННЫЕ СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ*НЕСТАНДАРТНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ*ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ФАСОВКИ И УПАКОВКИ*ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНСУЛЬТАЦИЯ*ПРИЦЕП-ПАЛАТКА*ИЗГОТОВЛЕНИЕ ДЕТАЛЕЙ НА ЗАКАЗ*ГАЛЬВАНИЧЕСКИЕ ПОКРЫТИЯ*КИЕВ*
Инженерные
решения

   +38 044 227-97-66 

  +38 067 442-08-41

   +38 050 415-00-37 

ПН-ПТ с 9 до 16 обед с 12 до 13

03.03.2019г. Intel готова к производству памяти MRAM

Intel  готова к  производству памяти MRAM, сочетающей в себе  возможности DRAM и NAND

Память MRAM является энергонезависимой. Она способна сохранять данные даже в случае неожиданного прекращения подачи электроэнергии. Это позволяет сохранять информацию, как на устройстве хранения данных. Память MRAM  сочетает в себе функции «быстрой» энергозависимой памяти DRAM и преимущества  энерго-независимой памяти NAND.   MRAM обещает время отклика на уровне 1нс, и скорость записи, превосходящую в тысячи раз, которой обладает на сегодняшний день память NAND.

      При этом надежность памяти MRAM на высоком уровне. Она выдерживает более 1000000 циклов переключения и способна хранить данные при температуре 200ºС на протяжении 10 лет.

Источник: https://itc.ua/news/intel-uzhe-gotova-k-massovomu-proizvodstvu-pamyati-mram-sochetayushhey-v-sebe-luchshie-vozmozhnosti-dram-i-nand/